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硅片電阻率測(cè)試儀的準(zhǔn)備事項(xiàng)設(shè)置的步驟
非接觸電阻率測(cè)試儀:電氣材料特性的新一代測(cè)量工具
非接觸電阻率測(cè)試儀的使用指南,不可錯(cuò)過(guò)
非接觸方阻測(cè)試儀在半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)中的作用
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硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù),如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中,反射率法是通過(guò)測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚度,而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量厚度,這種方法可以測(cè)量到非常薄的硅片?
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硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù),如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中,反射率法是通過(guò)測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚度,而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量厚度,這種方法可以測(cè)量到非常薄的硅片?1。
?反射率法?:通過(guò)測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚度。
?干涉法?:利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量厚度,適用于非常薄的硅片。
?激光掃描共聚焦顯微鏡?:利用激光掃描和共聚焦技術(shù)進(jìn)行高精度的三維成像和測(cè)量。
硅片厚度的測(cè)量通常參考國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)頒布的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),如SEMIM1、SEMIM59等?1。
硅片厚度測(cè)量?jī)x是一種用于測(cè)量硅片厚度的設(shè)備,操作步驟包括將待測(cè)硅片放置在測(cè)量?jī)x上,開(kāi)啟儀器并調(diào)整參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。維護(hù)注意事項(xiàng)包括定期清潔測(cè)量?jī)x、避免碰撞或摔落,并按照說(shuō)明書進(jìn)行日常維護(hù)?
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